IGW50N65H5 datasheet
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>> IGW50N65H5 IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IGW50N65H5
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGW50N65H5 PDF下载
制造商
Infineon Technologies
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
功率耗散
145 W
最大工作温度
封装 / 箱体
PG-TO-247-3
封装
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属性
链接
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供应商
公司名
电话
深圳市华创欧科技有限公司
23945755
朱先生
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市英科美电子有限公司
0755-23903058
张先生
深圳市琦凌凯科技有限公司
13316482149
彭先生
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
深圳市芯睿晨科技有限公司
0755-82571496
李小姐/肖先生
深圳市源美盛达科技有限公司
13927420685
连小敏
深圳市粤科源兴科技有限公司
13392885468
谢先生
深圳市华盛锦科技有限公司
0755-83795896
张先生/雷小姐
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
IGW50N65H5 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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