买卖IC网 >> 产品目录 >> IGW50N65H5 IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

IGW50N65H5

库存数量:可订货
制造商:Infineon Technologies
描述:IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述 IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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制造商 Infineon Technologies
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
集电极—射极饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
功率耗散 145 W
最大工作温度
封装 / 箱体 PG-TO-247-3
封装
相关资料
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深圳市华创欧科技有限公司 23945755 朱先生
深圳市亚泰盈科电子有限公司 15338868823 郑小姐
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深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
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  • IGW50N65H5 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价